半導體可飽和吸收器件

BATOP 現(xiàn)已成為用于被動鎖模激光器的可飽和吸收體的世界領先供應商?？娠柡臀债a(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件，從可飽和吸收鏡(SAM?)，到可飽和輸出鏡(SOC)和用于透過應用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止，可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍。

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?SAM - 半導體可飽和吸收鏡

SAM	800	940	980	1040	1064	1100	1150	1300	1340	1420	1510	1550	2000	2400
波長(nm)	800	940	980	1040	1064	1100	1150	1300	1340	1420	1510	1550	2000	2400
飽和吸收率A0(%)	3 -6	4-30	2-50	0.7-66	0.7-70	50-90	3-6	4-12	1-15	1-4	6-11	1-55	2-8	1
弛豫時間	0.5	1	0.5	0.5-12	0.5-124	0.5	0.5	1	1	10	10	2-12	0.5	0.5

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BATOP可飽和吸收鏡

 

德國BATOP公司是一家專門生長半導體可飽和吸收體等半導體光電器件的公司，主要產(chǎn)品包括：

SAM半導體可飽和吸收鏡 SAM - Saturable Absorber Mirror
RSAM共振可飽和吸收鏡 RSAM - Resonant SAM
SOC可飽和吸收耦合輸出鏡 SOC - Saturable Output Coupler
SANOS可飽和噪聲去除腔 SANOS - Saturable Noise Suppressor
SA可飽和吸收體 SA - Saturable Absorber
PCA太赫茲光電導天線

其中SESAM，RSAM和 SOC 是用于穩(wěn)定、自啟動的DPSS被動鎖模激光器最簡單的鎖模元件。

 

飽合吸收鏡的封裝方式有裸片，粘附在散熱基座，和光纖尾端等方式。

半導體可飽和吸收鏡（SESAM）的基本結構就是把反射鏡與半導體可飽和吸收體結合在一起。底層一般為半導體反射鏡，其上生長一層半導體可飽和吸收體薄膜，最上層可能生長一層反射鏡或直接利用半導體與空氣的界面作為反射鏡，這樣上下兩個反射鏡就形成了一個法布里-珀羅腔，通過改變吸收體的厚度以及兩反射鏡的反射率，可以調節(jié)吸收體的調制深度和反射鏡的帶寬。

一般來說半導體的吸收有兩個特征弛豫時間，帶內熱平衡 (intraband thermalization) 弛豫時間和帶間躍遷 (interband transition) 弛豫時間。帶內熱平衡弛豫時間很短，在100-200fs左右，而帶間躍遷弛豫時間則相對較長，從幾ps到幾百ps。帶內熱平衡弛豫時間基本上無法控制，而帶間躍遷弛豫時間主要取決于半導體生長時襯底的溫度，生長時的溫度越低，帶間躍遷弛豫時間越短。在SESAM鎖模過程中，響應時間較長的帶間躍遷 (如載流子重組) 提供了鎖模的自啟動機制，而響應時間很短的帶內熱平衡可以有效壓縮脈寬、維持鎖模。

 

1. SESAM半導體可飽和吸收鏡

型號描述：SAM-800-1-X
800-1—中心波長為800nm，飽和吸收率為1%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
  800（-1，-4）， （R > 99% @750-850nm），
  850（-2，-4，-10，-12）， （R > 99% @810-860nm），
  940（-4，-6）， （R > 99% @910-990nm），
  980（-2，-7，-11，-18）， （R > 99% @910-990nm 或者960-1040nm），
  1040（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-10），（R > 99% @1020-1110nm），
  1064（-1，-2，-3，-4，-5，-6，-8，-10，-13），（R > 99% @1020-1110nm），
  1510（-6，-11），（R > 99% @1470-1570nm），
  1550（-1，-2，-3，-8，-10，-30，-50），（R > 99% @1500-1570nm）。

X－封裝代碼
  X=0，無封裝的裸片
  X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
  X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
  X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

2. RSAM共振可飽和吸收鏡

型號描述：RSAM-1064-27-X
1064-27—中心波長為1064nm，飽和吸收率為27%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
  1064（-27，-47，-80）， （R > 99% @1050-1070nm）。

X ——封裝代碼
  X=0，無封裝的裸片
  X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
  X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
  X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選
  X=FC/PC with TEC，安裝在1米長光纖一端，且?guī)EC冷卻器


3. SOC可飽和吸收耦合輸出鏡

型號描述：SOC-980-2-X
980-2—中心波長為980nm，飽和吸收率為2%，部分可選波長及飽和吸收率如下：
   980（-2，-4）， （R > 99% @960-1020nm），
  1064（-2，-4）， （R > 99% @1040-1100nm）。

X ——封裝代碼
  X=0，無封裝的裸片
  X=12.7g，粘在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4g，粘在1英寸的銅柱上
  X=12.7S，焊在1/2英寸的銅柱上
  X=25.4S，焊在1英寸的銅柱上
  X=FC/PC，安裝在1米長光纖一端，接頭類型FC/PC或其他可選

4. SANOS可飽和體噪聲去除腔

Free space SANOS (FS-SANOS)
Fibre coupled SANOS (FC-SANOS)

SANOS可飽和體噪聲去除腔的工作原來是利用可飽和吸收體對弱的噪聲光有很小的反射率，多強的輸出光具有很大的反射率，這樣光通過SANOS可飽和體噪聲去除腔后就能起到噪聲去除的作用?？捎糜谠偕糯蠛兔}沖選擇以后的噪聲光去除。

FS-SANOS-1064-1配備了一塊飽和吸收體，F(xiàn)S-SANOS-1064-2配備了兩塊飽和吸收體；
FC-SANOS-15XX-TEC是把飽和吸收體附在TEC制冷片上。

 

5. PCA太赫茲光電導天線

太赫茲光電導天線是由金屬電極和一層低溫生長的GaAs和InGaAs薄膜組成。iPCA是大面積的太赫茲光電導天線，用于高功率太赫茲輸出和高靈敏度太赫茲收集。